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首爾大學教授以「Hypotaxy」二維半導體製程獲頒十二月科學獎

Creatrip Team

3 months ago

首爾大學（Seoul National University）李冠炯教授獲評十二月科學技術月度人物，因其開發出一種新穎的「hypotaxy」製程，可實現大面積二維過渡金屬二硫化物（TMDs）的合成。不同於傳統外延生長（在基板上逐層生長），hypotaxy 指導二維材料向下生長，能在先前不相容的表面如非晶 SiO2 與金屬上製得高品質單晶 MoS2 與其他 TMD 薄膜。該團隊展示了 4 吋晶圓尺度的單晶 MoS2，透過調整金屬薄膜厚度可精準控制 TMD 的層數，並達到世界級的電性表現。該方法與現有半導體製造相容，研究發表於 Nature，可能為次世代 AI 半導體的大量生產奠定基礎。（TMD：過渡金屬二硫化物；MoS2：二硫化鉬；SiO2：二氧化矽）

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