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首爾大學教授憑「Hypotaxy」二維半導體製程獲頒十二月科學獎

Creatrip Team

3 months ago

首爾大學李寬炯教授因開發一種新穎的「倒生長」（hypotaxy）工藝，獲選為十二月科學與科技本月人物。該工藝可在大面積上合成二維過渡金屬二硫化物（TMDs）。與傳統的外延生長（在基板上逐層成長）不同，倒生長引導二維材料向下生長，令高質量的單晶MoS2及其他TMD薄膜能在以往不相容的表面上形成，如非晶SiO2和金屬。團隊展示了四吋晶圓級別的單晶MoS2，透過調整金屬薄膜厚度精準控制TMD的層數，並達到世界級的電學表現。該方法與現有半導體製造相容，成果已發表於Nature；有望為下一代人工智能半導體的大批量生產奠定基礎。（TMD：過渡金屬二硫化物；MoS2：二硫化鉬；SiO2：二氧化矽）

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