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首尔国立大学教授因“下位接法”二维半导体工艺荣获十二月科学奖

Creatrip Team

3 months ago

首尔国立大学的李宽炯教授因开发出一种新颖的“逆外延（hypotaxy）”工艺而获得了十二月科技人物奖，该工艺实现了大面积二维过渡金属二硫族化物（TMDs）的合成。与传统外延（在衬底上逐层生长）不同，逆外延引导二维材料向下生长，使高质量单晶MoS2及其他TMD薄膜可在此前不兼容的表面上生长，如无定形SiO2和金属。该团队演示了4英寸晶圆尺度的单晶MoS2，通过调整金属膜厚精确控制TMD层数，并达到了世界一流的电学性能。该方法兼容现有半导体制造工艺，并已发表在Nature上；它可能为下一代人工智能半导体的大规模生产奠定基础。（TMD：过渡金属二硫族化物；MoS2：二硫化钼；SiO2：二氧化硅）

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